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    为了克服外延工艺中的某些缺点，外延生长工艺已有很多新的进展。
    (1)减压外延  自掺杂现象是使用卤素化合物作源的外延过程中难以避免的现象，即从基片背面、加热体表面以及从前片向后片，都会有掺杂剂迁移到气相而再进入外延层。自掺杂使外延层杂质浓度不均匀。若将反应管中的压力降到约160Torr，即可有效地减少自掺杂。
    (2)低温外延  为得到衬底与薄外延层之间的突变结，需要降低生长温度，以减少基片中的杂质向外延层的自扩散。采用He-SiH4分解、SiH2Cl2热分解以及溅射等方法都可明显降低温度。
    (3)选择外延  用于制备某些特殊器件，衬底上有掩膜并在一定区域开有窗口，单晶层只在开窗口的区域生长，而留有掩膜的区域不再生长外延层。
    (4)液相外延  将生长外延层的原料在溶剂中溶解成饱和溶液。当溶液与衬底温度相同时，将溶液覆盖在衬底上，缓慢降温，溶质按基片晶向析出单晶。这种方法常用于外延生长砷化镓等材料。
    (5)异质外延  衬底与外延层不是同一种物质，但晶格和热膨胀系数比较匹配。这样就能在一个衬底上外延生长出不同的晶膜，如在蓝宝石或尖晶石衬底上外延生长硅单晶。
    (6)分子束外延  这是一种最新的晶体生长技术。将衬底置于超高真空腔中，将需要生长的单晶物质按元素不同分别放在喷射炉中。每种元素加热到适当的温度，使其以分子流射出，即可生长极薄(甚至是单原子层)的单晶层和几种物质交替的超晶格结构。
 

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